Les équipes de recherche et développement de Philips et STMicroelectronics travaillaient déjà ensemble sur le projet. L'alliance annoncée aujourd'hui avec le taiwanais TSMC, sous-traitant numéro un de la fabrication de puces, marque une nouvelle étape : les trois groupes vont coopérer dans le développement de puces gravées à 90 nanomètres (0,09 micron). Le procédé, basé sur la technologie CMOS (Complementary Metal Oxyde Semiconductor), permettra la fabrication d'une nouvelle génération de semi-conducteurs, destinée selon les trois partenaires à succéder à la génération actuelle, gravée à 0,13 micron d'épaisseur. Ce procédé "devrait générer d'importantes améliorations en matière de vitesse, de consommation, d'intégration et de densité", par rapport à la gravure à 0,13 micron, assurent Philips, STMicro et TSMC dans un communiqué. A titre d'exemple, un circuit gravé grâce au processus à 90 nanomètres n'occupe que la moitié de la surface du même circuit gravé à 0,13 micron.Des circuits tests ont déjà été produits par Philips et STMicro dans leur chaîne de fabrication commune de Crolles, dans l'Isère, et par TSMC dans son usine de Hsin-Chu à Taiwan. La production de prototypes est prévue pour le second semestre et les trois groupes assurent pouvoir passer rapidement à une production de masse pour leurs clients. Parmi les produits visés, selon les trois producteurs de puces, figurent les téléphones cellulaires de troisième et quatrième générations, les lecteurs DVD, les décodeurs et les caméscopes numériques. Ce projet, expliquent-ils, renforce les coopérations nouées entre Philips et STMicro d'une part depuis 1992, entre Philips et TSMC d'autre par depuis 1987. Parallèlement, STMicro et Philips ont annoncé leur décision d'investir, ensemble, 700 millions de dollars dans une nouvelle chaîne de fabrication de "wafers" (les galettes de silicium sur lesquelles sont gravées les puces) de 300 millimètres de diamètre, toujours à Crolles. latribune.f

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20 Oct 2008, 3:00

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