Gaëlle Cloarec
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EasyGaN va-t-elle tenir ses promesses ? L'annonce, à l'été, du développement des premiers prototypes de template (ou substrat) de Nitrure d'Aluminium (AIN) sur Silicium de 200 mm de diamètre, un format adapté au parc de production actuel des fabricants de composants électroniques, plaide en ce sens. "La phase de tests commence auprès d'un centre de recherche et d'un industriel français dans le cadre du projet européen Nano 2022", indique André Bonnardot, directeur général de la jeune pousse.
Fondée en 2017 par trois chercheurs, Sylvain Sergent, Fabrice Semond et Nicolas Baron, basée au sein du CRHEA (Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) dont elle est une des deux spin-off, EasyGaN s'intéresse au matériau GaN (Nitrure de Gallium). Un semiconducteur à large bande utilisé par l'industrie du LED, qu'elle souhaite démocratiser auprès de la filière électronique, notamment de puissance, et ses besoins en matière de conversion d'énergie (chargeurs embarqués pour véhicules hybrides et électriques, alimentation de serveurs et chargeurs sans fil...).
Le matériau GaN présente en effet des propriétés "nettement supérieures aux semiconducteurs classiques, en termes de performance, de miniaturisation, de fiabilité et d'efficacité énergétique", détaille le dirigeant. Le hic, c'est que si le GaN se "marie" très bien avec un substrat de Saphir - utilisé pour les LEDs - il s'avère beaucoup plus complexe à déposer sur du silicium, indispensable pourtant si l'on veut adresser l'industrie électronique sans faire exploser les coûts. C'est là que se positionne EasyGaN grâce à un procédé de fabrication (l'Epitaxie par Jets Moléculaires ou JEM) de substrats clé-en-main censés lever les verrous en permettant la fabrication de dispositifs GaN-sur-Silicium et l'augmentation des performances du composant final. Des substrats, validés en laboratoire, et donc aujourd'hui testés.
Gaëlle Cloarec
