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INNOVATION - La Tribune ToulouseRecherche et Développement - La Tribune Toulouse

Nanotechnologies : le forum NanoRun 2016 réfléchit à la fiabilité des futures puces électroniques

Photo de Gael Cérez

Gael Cérez

Publié le 25 février 2016 à 10:48 - Mis à jour le 26 février 2016 à 10:12

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Organisé par l'IRT Saint-Exupéry, le forum NanoRun 2016 a réuni pour la première fois à Toulouse des industriels et des scientifiques internationaux du secteur des nanotechnologies. L'objectif : réfléchir à l'impact de la course à la miniaturisation des puces électroniques pour l'industrie, notamment aéronautique.

La loi de Moore vit-elle ses dernières années ? Énoncée en 1975 par le scientifique Gordon Earle Moore, cette loi prédit que le nombre de transistors sur une puce électronique doublera tous les deux ans.

Or, "en 2020, une puce pourra contenir 10 milliards de transistors gravés à une taille de quelques nanomètres. Compte tenu de cette capacité décuplée par puce, nous estimons que la fiabilité totale va se dégrader et réduire à moins de 5 ans la durée de vie d'une puce, contre 15 à 20 ans aujourd'hui", alerte Alain Bensoussan, expert en microélectronique à l'IRT Saint-Exupéry.

Acceptable pour des tablettes ou des téléphones mobiles, cette durée de vie est complètement inappropriée à celle requise pour des systèmes électroniques de haute fiabilité, utilisés par exemples pour des applications spatiales. "Nous allons atteindre les limites technologiques de la réduction de taille ultime d'un transistor élémentaire renfermant moins de 10 atomes d'un cristal de silicium, précise Alain Bensoussan. Pour ces technologies, la loi de Moore a touché ses limites."

Réfléchir à la fiabilité de ces nouveaux composants, c'était justement tout l'objectif du forum NanoRun, organisé pour la première fois par l'IRT Saint-Exupéry, dans les locaux de l'INP-Enseeiht à Toulouse. Mardi 23 et mercredi 24 février, une centaine d'acteurs scientifiques et industriels se sont réunis pour l'occasion.

"Ce sont des questions qui concernent tous les industriels, de l'automobile à l'aérospatial, indique Ariel Sirat, directeur général de l'IRT. Tout le monde doit travailler ensemble pour comprendre les implications de ces nouvelles physiques, et ce d'autant plus qu'il n'y a pas de concurrence sur cette question de fiabilité."

Remplacer le silicium par du GaN

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D'autres technologies entrent dans la course à la miniaturisation pour augmenter la puissance des puces électroniques. L'une des solutions est d'introduire de nouveaux matériaux pour fabriquer des transistors de puissance plus performants. "Le silicium a atteint ses limites, martèle Alexander Lidow, président de EPC, un fabricant américain de transistors de puissance en nitrure de gallium (GaN). Le GaN est déjà deux fois plus performant en puissance que le silicium. En théorie, il pourrait l'être 6 000 fois plus. C'est l'objectif à atteindre."

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Gael Cérez

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